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题  目:海外专家系列报告——Research at FEMTO-ST Institute
报告人:Prof. Maxime Jacquot
时  间:2018-10-17 14:00
地  点:研发大厦第一会议室
题  目:第43期发光学论坛——PVT法生长高质量大尺寸独立AlN单晶的新途径
报告人:吴亮
时  间:2018-10-10 14:00
地  点:东配楼五楼大会议室
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第43期发光学论坛——PVT法生长高质量大尺寸独立AlN单晶的新途径
  2018-10-10 吴亮
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报告题目:PVT法生长高质量大尺寸独立AlN单晶的新途径

报告人 :吴亮 教授 上海大学高级特种钢材国家重点实验室

报告时间:20181010日 下午14:00

报告地点:东配楼五楼大会议室

个人简介:

    吴亮教授,获得大连理工大学学士学位,清华大学硕士学位和鲁汶大学博士学位。于2014年以“东方学者” 教授的身份加入上海大学。此前,曾在IntelFEMAGSoft SA(比利时)和GCL能源控股有限公司担任过各种研发和管理职位。他申请了大约30项专利(包括PCT,主要用于批量AlN晶体生长),并在德国出版了一本相关书籍。他撰写了60多篇期刊/会议论文,并在会上做了报告。被邀请成为PV日本全会的主旨发言人,并被邀请成为ICCGEIWMCGSemi ChinaSemi JapanSemi TaiwanSNECChinaLEDPV Summit 等多个国际会议的报告嘉宾。担任“Journal Crystal Growth” 的特邀编辑和特邀评论员,也是“SEMIChina”的科学委员会成员。

摘要:

    由于AlN具有超宽带隙(6.2eV),并与GaNAlGaN的热膨胀系数和化学性质相似,所以块状单晶氮化铝(AlN)是最合适的用于深紫外光电子器件的基板。然而,当前缺乏足够大和高质量的单晶限制了AlN的发展。在这次报告中,我们介绍了一种新颖的自发式方法,通过内部设计的3英寸PVT升华反应器生长独立式AlN晶体。生长结果表明,通过精确控制反应腔中的温度分布,可以在预烧结的AlN粉末源上生长独立的AlN单晶。在特定生长条件下持续生长100h得到的最大AlN单晶体积达到10mm*8mm*12mm,而普通方法得到的AlN单晶直径在7mm-8mm之间。用RAMAN光谱法和Hdxrd法测得所选晶体的半峰全宽分别为5.5/cm86弧秒。在熔融共晶KOH/NaOH中,湿法腐蚀后的腐蚀坑密度为102-7.5×104/cm2。结果表明,采用这种新的生长方法可以生长出高质量、大尺寸的独立生长的AlN单晶。所获得的AlN单晶可以被切割成理想地适合作为随后的同质外延AlN晶体生长的晶种的晶片。我们预计,在高质量的晶种和同型表生素的迭代生长的基础上,英寸大小的AlN单晶在不久的将来可以实现。

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