7月12日-13日，由中国科学院长春光学精密机械与物理研究所、欧洲激光协会联合主办的第一届激光加工前沿国际会议（1st International Conference Frontiers of Laser Processing，ICFL）在长春光机所召开。 Of Cambridge、CLFA Paris、北京大学、清华大学、华中科技大学、北京工业大学、长春光机所等国内外20余位知名专家作学术报告。 大会主席由德国夫琅禾费研究所教授Stefan Kaierle、清华大学教授钟敏霖、长春光机所研究员王立军共同担任。 会议得到了国家科学技术部、国家自然科学基金委员会、中国科学院、发光学与应用国家重点实验室（筹）、应用光学国家重点实验室、激光与物质相互作用国家重点实验室、吉林省光学学会、长春中俄科技园、长春理工大学等单位的大力支持。

5月30日，国家自然科学基金委员会工程与材料科学部组织专家在长春对由长春光机所宋航研究员主持的重点项目“室温工作的高In组分短波InGaAs线列探测器材料与器件研究”进行了结题验收。 专家组由来自我国材料科学界知名专家组成，基金委领导和工程与材料科学部领导参加了重点项目结题验收会。 高In组分InGaAs红外光电探测器在国民经济建设和航空航天领域具有重要应用。 本项目主要针对高In组分InGaAs红外探测器结构材料的MOCVD生长、晶格失配缺陷的抑制、红外探测器材料与器件工艺的优化、探测器线列焦平面的研制与集成等方面开展了深入系统的研究。 成功获得大尺寸、高质量InGaAs红外探测器结构材料。 成功获得了256×1的延长波长InGaAs线列焦平面探测器。 宋航研究员作项目汇报。

2011年4月21日，中科院基础科学局在北京主持召开了由中科院长春光机所任首席单位，由中科院物理所、半导体所、福建物构所、上海光机所和中国科学技术大学共同承担的中国科学院知识创新工程重要方向项目“ZnO基材料、器件的相关物理问题研究”验收会。 基于ZnO潜在的应用前景及中科院在ZnO蓝紫外发光与激光方面取得的突出进展，2006年中科院基础科学局集合科学院ZnO研究方面的优势研究团队，组织了ZnO研究的重要方向项目。 项目主要针对ZnO研究存在的p型掺杂、高质量单晶薄膜、单晶衬底等瓶颈，从基本物理问题入手开展了深入研究。 通过控制N的掺杂形态制备出N掺杂的p型ZnO薄膜，并通过引入Li-N键合方法，提高了受主掺杂稳定性。 在国际上首次在室温下观测到低阈值ZnO薄膜异质结的电泵浦受激发射。

12月24日，“II族氧化物半导体光电子器件的基础研究”启动会在长春召开，这是长春光机所第一个以首席单位承担的国家重点基础研究发展计划（973计划）项目。 该项目包括II族氧化物中的杂质调控、生长模式控制、微腔构建以及激光模式控制等关键科学问题，将由中科院长春光机所、物理所、上海光机所和南京大学、中山大学、东南大学、吉林大学等单位共同完成，首席科学家为长春光机所副所长申德振研究员。 启动会顺利召开标志着“II族氧化物半导体光电子器件的基础研究”973项目正式启动进入实施阶段。 II族氧化物半导体光电子器件的基础研究项目首席科学家申德振研究员作报告。