摘要： 

　　锑化物半导体材料是指由III-V族(InGaAl)(AsSb)等元素构成的晶格常数为0.61nm的独特体系，其异质结低维结构具有I型、II型窄带隙能带，在中长波红外光电器件、高速低功耗微电子器件、热电和制冷绿色能源器件等方面具有独特优越性。早期研究受Sb元素精确控制精度、As和Sb两种V族元素交叉控制方法以及锑化物表面处理技术水平的限制，使锑化物材料的基础研究和光电子器件制备技术长期落后于N、P、As化物III-V族体系。直到2003-2005年，国际上锑化物纳米低维结构的外延技术获得了突破，相关的微电子器件、高性能红外探测器件、高功率红外激光器件研究迅猛发展。锑化物以其独特物理性能和光电器件的应用价值而被认为是继砷化物、磷化物、氮化物等III-V族体系获得巨大成功后新的前沿方向，特别是在红外光电子器件方面具有重大发展前景。 

　　中科院半导体所于本世纪初率先在国内开展了锑化物半导体材料物理和器件技术的系统性研究，在锑化物半导体能带理论、材料结构设计、分子束外延技术、红外激光器和探测器制备方面取得一系列进展。掌握了InGaAsSb的I型能带和InAs/GaSb超晶格II性能带的设计模型，解决了纳米精度外延生长中As、Sb元素界面精确控制技术，设计生长的N沟道和P沟道HEMT材料其电子和空穴迁移率达到国际一流水平，验证了外延材料的高质量。研制成功2-3微米波段室温连续激射激光器，输出功率达到1瓦。突破了大应变长周期超晶格的生长难题，实现了2-5微米、8-12微米、14-20微米等多波段超晶格探测器，合作研制成功焦平面阵列探测器并实现成像。 

简介： 

　　中科院半导体所研究员，博士生导师，“国家杰出青年科学基金”、“新世纪百千万人才工程国家级人选（首批）”、“国务院政府特殊津贴”获得者，国家重大科学研究计划首席科学家。曾留学德国PDI固体电子学研究所、美国南加州大学等。 

　　先后承担数十项国家自然科学基金重大计划重点项目、国家重大科学研究计划项目、科技成果转化地方合作项目等等。主要研究方向：半导体InGaAsSb低维材料外延生长、受限光电体系量子效应表征、新型高性能光电器件和量子器件制备。在半导体自组织量子点材料物理与单光子光源器件、纳米线量子点耦合结构材料物理与新型量子器件、锑化物I型量子阱大功率窄线宽红外激光器、超晶格中远红外光电探测器研究方面获得重要科学发现和关键技术突破。曾在Nature，Phys. Rev. Lett., Adv. Materials, Nano Lett.，Appl. Phys. Lett.等发表论文200多篇，被同行他引1200余次。曾获国家自然科学二等奖、北京市自然科学二等奖、中国电子学会自然科学一等奖等。培养多名研究生获得中科院优秀奖、冠名奖、优秀博士论文、国家优秀留学生奖等。