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发光学及应用国家重点实验室举办“发光学论坛”第21期学术报告
2017-04-17 发光室 青促会(长光活动组)
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  2017414日,由发光学及应用国家重点实验室(发光室)和中国科学院青年创新促进会长春光学精密机械与物理研究所活动小组(中科院青促会长光所活动小组)联合举办的系列学术报告“发光学论坛”第21期在发光室5楼学术报告厅举行。应黎大兵研究员邀请,本期论坛请到了中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所刘建平研究员做了题为“室温连续工作GaN绿光激光器”的学术报告。 

  报告由发光室副主任佟存柱研究员主持,发光室以及其他部门科研人员和学生参加了报告会。在报告会中,刘建平研究员系统地介绍了GaN基半导体激光器的研究意义、现状和发展趋势等。GaN蓝光激光器的发展和成熟极大促进了激光显示技术的发展和产业化,而三基色纯激光显示技术对绿光激光器的迫切需求使GaN绿光激光器的研究成为热点。刘建平研究员详细地介绍了中科院苏州纳米所在GaN绿光激光器方面的研究进展,包括GaN材料的同质外延生长、绿光InGaN量子阱的生长模式及其对光学性质的影响、绿光InGaN量子阱的界面调控、低温生长AlGaN: Mg的杂质并入与电学性质的关联,以及室温连续工作GaN绿光激光器的器件特性。 

  报告结束以后,刘建平研究员与参会人员进行了热烈的交流和互动,对在GaN绿光半导体激光器的研究中存在的问题进行了深入的讨论。最后,发光室副主任佟存柱研究员对本期论坛进行了总结,对刘建平研究员做的精彩报告表示了衷心感谢,论坛在热烈的掌声中宣告闭幕。本期论坛不仅使参会人员对GaN基半导体激光器的发展和研究现状有了清晰的了解,而且对在GaN绿光激光器研究中存在的问题也有了明确的认识,对于开阔科研人员视野,扩展发光学前沿研究具有十分重要的意义。 

   

图一刘建平研究员作学术报告 

 

图二 “发光学论坛”第21期学术报告会现场 

  发光学论:是发光学及应用国家重点实验室(发光室)的为了活跃学术氛围,提升发光室的科研创新能力,促进发光室与国内及国际研究单位的交流合作,实现多领域、多学科的交叉创新,而创办学术交流论坛,将不定期邀请国内外相关领域知名专家学者来开展学术交流。 

  刘建平研究员简介: 

  刘建平,研究员,博士生导师。20046月在中科院半导体所获博士学位,20047月至20069月在北京工业大学光电子技术实验室工作,200610月至20104月在美国佐治亚理工学院电子与计算机工程系从事博士后研究,此后加入中科院苏州纳米所任研究员、博士生导师。刘建平研究员主要从事宽禁带氮化镓(GaN)基半导体材料和金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外延生长技术的研究工作,并致力于开展GaN基发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)等光电子与电力电子器件的研发与产业化工作。曾主持过国家重点研发计划项目、国家基金委项目、江苏省科研项目等多项研究课题,并成功研制出国内第一支室温连续工作的GaN基绿光激光器和大功率蓝光激光器。已在LightSci. & Appl.Nature PhotonicsAppl. Phys. Lett.Optical Express等国际期刊上发表SCI收录论文90多篇。 

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