2016年9月16日，发光学及应用国家重点实验室举办的发光学论坛第19期在五楼大会议室召开。吴德馨院士参加本次学术交流活动，并在交流会上做了题为“集成电路的现状与发展趋势”的学术报告。本次学术论坛由申德振主任主持，发光室主任、副主任、科研人员及应光室、新技术室等研究室的老师及学生参加了本次学术论坛。 

    会后，吴院士在发光学及应用国家重点实验室王立军院士及副主任黎大兵研究员等的陪同下，参观了发光室大功率半导体激光器组实验室、超精密中心、4m SiC以及辰芯公司等并讨论了合作事宜。结合吴院士在微电子方面、我所在光电子方面的研究基础与优势，双方希望将来能够合作开展面向数据中心和超级计算机内部互联应用的高速垂直腔面发射激光器（VCSEL）研究，并最终实现高密度光电集成。 

　　吴德馨院士，女， 1961年毕业于清华大学无线电电子工程系，中国科学院微电子所研究员。20世纪60年代初，吴德馨作为主要负责人之一，在国内首先研究成功硅平面型高速开关晶体管，为用于两弹一星的计算机做出了贡献。60年代末期研究成功介质隔离数字集成电路和高阻抗运算放大器模拟电路。70年代末研究成功MOS 4K位动态随机存储器，随后又相继研究成功16K位和64K位动态随机存储器。开发成功双层多晶硅和差值氧化工艺，独创了检测腐蚀接触孔质量的露点法。80年代末期自主开发成功3微米CMOS LSI全套工艺技术，用于专用电路的制造。研制成功多种专用集成电路并研究开发成功VDMOS系列功率场效应器件和砷化镓异质结高电子迁移率晶体管。90年代研究成功0.8微米CMOS LSI工艺技术，和0.1微米T型栅GaAs PHEMT器件等。长期从事半导体器件与集成电路的研究与开发，为发展我国微电子技术做出了贡献。1991年当选为中国科学院院士（学部委员）。