报告时间：2017.4.14 9:30
报告人：刘建平 研究员 中科院苏州纳米所
摘要：
GaN蓝光激光器的发展和成熟极大促进了激光显示技术的发展和产业化，而三基色纯激光显示技术对绿光激光器的迫切需求也使GaN绿光激光器的研究成为热点。在这个报告中，我将介绍我们在GaN绿光激光器研究方面的研究进展，包括GaN材料的同质外延生长，绿光InGaN量子阱的生长模式及其对光学性质的影响，绿光InGaN量子阱的界面调控，低温生长AlGaN:Mg的杂质并入与电学性质的关联，最后介绍我们研制的室温连续工作的GaN绿光激光器的器件特性。
个人简介：
刘建平，2004年6月在中科院半导体所获博士学位。2004年7至2006年9月在北京工业大学光电子技术实验室工作，2006年10月至2010年4月在美国佐治亚理工学院电子与计算机工程系从事博士后研究，此后加入中科院苏州纳米所任研究员、博士生导师。一直从事GaN基材料与器件和MOCVD 技术研究，十多年以来致力于GaN基材料生长和高效LED、激光器、HEMT等的研发与产业化。主持国家重点研发计划课题、国家基金委、江苏省科研项目多项，研制出国内第一支室温连续工作的GaN绿光激光器和大功率蓝光激光器。在Light: Sci & Appl.、Nature Photonics、Appl. Phys. Lett.、Optical Express等国际期刊发表SCI收录论文90多篇。
