报告题目：集成电路的现状与发展趋势 

　　吴德馨 院士 

　　中国科学院微电子研究所 

    报告时间：2016年9月14日 9：30

    报告地点：长春光机所发光室5楼会议室

　　摘要： 

　　当今世界集成电路依照摩尔定律和等比例缩小原则已经发展到晶体管的栅长为14/16nm，进一步发展已接近物理极限。本文介绍为了延续摩尔定律（more Moore）继续改进器件结构和工艺技术的新进展，以及近年来在拓展摩尔定律(more than Moore)的多功能系统级封装和探索新型基础器件（beyond CMOS）方面所取得的成绩。 

　　吴德馨，女，1961年毕业于清华大学无线电电子工程系。中国科学院微电子所研究员。20世纪60年代初，吴德馨作为主要负责人之一，在国内首先研究成功硅平面型高速开关晶体管，为用于两弹一星的计算机做出了贡献。60年代末期研究成功介质隔离数字集成电路和高阻抗运算放大器模拟电路。70年代末研究成功MOS 4K位动态随机存储器，随后又相继研究成功16K位和64K位动态随机存储器。开发成功双层多晶硅和差值氧化工艺，独创了检测腐蚀接触孔质量的露点法。80年代末期自主开发成功3微米CMOS LSI全套工艺技术，用于专用电路的制造。研制成功多种专用集成电路并研究开发成功VDMOS系列功率场效应器件和砷化嫁异质结高电子迁移率晶体管。90年代研究成功0.8微米CMOS LSI工艺技术，和0.1微米T型栅GaAs PHEMT器件等。长期从事半导体器件与集成电路的研究与开发，为发展我国微电子技术做出了贡献。1991年当选为中国科学院院士（学部委员）。